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机译:快速电子和质子辐照产生缺陷的异同:中度掺杂的n型硅和碳化硅
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机译:电子和质子辐照下n型硅和碳化硅中载流子的去除率
机译:质子和电子照射碳化硅轻掺杂N层低温退火的对比结果
机译:电子和质子辐照下n型硅和碳化硅中载流子的去除率
机译:使用光致发光光谱法研究N型4H碳化硅和半绝缘6H碳化硅中的缺陷。
机译:热化学制氢用涂层碳化硅碳化硅(SiSiC)蜂窝结构的材料分析
机译:由电子辐射和He注入引起的n型6H碳化硅中的深能级缺陷E1 / E2
机译:1-meV电子辐照硼掺杂硅的缺陷能级。