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机译:质子和电子照射碳化硅轻掺杂N层低温退火的对比结果
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University Politekhnicheskaya 29 St. Petersburg 195251 Russia;
Tallinn University of Technology Ehitajate tee 5 19086 Tallinn Estonia;
Ioffe Institute Politekhnicheskaya 26 St. Petersburg 194021 Russia;
Tallinn University of Technology Ehitajate tee 5 19086 Tallinn Estonia;
Tallinn University of Technology Ehitajate tee 5 19086 Tallinn Estonia;
JBS diodes; proton irradiation; electron irradiation; annealing kinetics; DLTS spectra;
机译:用快速电子照射后轻微掺杂的N-4H-SIC层的低温退火
机译:低能电子辐照铝掺杂p型6H碳化硅的等时退火深能级瞬态光谱研究
机译:中子辐照和低温退火对高掺杂4H碳化硅电学性能的影响
机译:电子和质子辐射下碳化硅缺陷形成的比较分析
机译:在低温卤化碳同质外延生长4H碳化硅中进行氮掺杂。
机译:PECVD对低温生长的掺硼氢化晶体硅的退火
机译:高温退火对基于中子掺杂硅的快速电子照射P-N结构特性的影响