机译:高温退火对基于中子掺杂硅的快速电子照射P-N结构特性的影响
机译:中子trans杂硅上电子辐照高压二极管结构的高温退火
机译:中子和离子损伤硅中的缺陷退火:缺陷簇和掺杂的影响;
机译:高压退火对中子辐照或掺锗切克拉斯基生长硅表面层电性能的影响
机译:高温退火后快中子辐照氮掺杂的直拉硅的缺陷
机译:快中子辐照硅正P-N-正N二极管电容特性的深陷阱模型的建立。
机译:通过保护退火抑制电子掺杂高温超导体中的反铁磁伪间隙
机译:电子辐照CdS中的高温退火
机译:中子嬗变掺杂硅的快速热退火。