防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，采用pH值介于5～7的弱酸对该晶圆执行一清洗步骤，使磷离子与弱酸电解产生的氢离子结合形成磷酸，从而磷酸在清洗过程中可直接挥发掉或者被水冲洗掉，有效减少了晶圆表面磷离子的数量，使得清洗后的晶圆即使长时间暴露在含有水汽的环境中也不会形成晶体状缺陷。