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机译:通过VB方法制造6 ich GaAs衬底
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机译:控制GaAs衬底上InAs / GaAsN / InGaAsN异质结构中发射波长的方法
机译:通过使用由GaAs衬底制造的独立式GaN衬底,高效能380 nm紫外线发光二极管的效率下降了3%
机译:通过VB方法制造6英寸GaAs衬底
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:GaAs HBT上VBIC模型参数提取的实用方法。
机译:Gaas薄膜外延生长的新方法和与Gaas衬底无关的器件配置