Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-1-1, Koya-kita, Itami, Hyogo, 664-0016 Japan;
机译:通过VB方法制造6 ich GaAs衬底
机译:通过VB方法制造6-ICH GAAs基材
机译:开发直径6英寸的VB-GaAs晶片
机译:VB法制造大直径外延器件GaAs衬底
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:GaAs HBT上VBIC模型参数提取的实用方法。
机译:Gaas薄膜外延生长的新方法和与Gaas衬底无关的器件配置