机译:用脉冲电流-电压测量研究石墨烯场效应晶体管的沟道长度定标
current saturation; Graphene; high-bias; pulsed-IV; short channel;
机译:用脉冲电流-电压测量研究石墨烯场效应晶体管的沟道长度定标
机译:使用电流-电压和电容-电压测量值直接提取石墨烯场效应晶体管中的载流子迁移率
机译:使用电流-电压和电容-电压测量值直接提取石墨烯场效应晶体管中的载流子迁移率
机译:LDMOS场效应晶体管的通道长度缩放极限:半经典分析和量子分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:使用亚波长石墨烯场效应晶体管的动态可调波长光电探测器
机译:石墨烯场效应晶体管的沟道长度相关输运行为
机译:短沟道场效应晶体管的电流 - 电压特性。