一种激光冲击减小场效应晶体管沟道长度的方法

摘要

本发明属于场效应晶体管领域，具体涉及一种激光冲击减小场效应晶体管沟道长度的方法，包括以下步骤：在导电基板上生长或铺设一定厚度的栅绝缘层，并将半导体材料转移到栅绝缘层上；制备金属电极得到大尺寸半导体沟道；在得到的大尺寸半导体沟道上放置一定厚度的两面光滑的金属箔片；在金属箔片表面铺设透光液体层，然后盖上透光固体层，获得夹层结构；采用一定脉冲宽度、一定功率的脉冲激光垂直照射所获得的夹层结构一定时间；剥离透光固体层、透光液体层以及金属箔片，得到尺寸缩小了的半导体沟道。本发明的方法操作要求简单，通过控制激光强度和曝光时间能够精确地减小沟道长度，提高晶体管的性能，降低功耗，突破摩尔定律带来的物理极限。