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李梦轲; 吕东徽; 赵佳佳; 周施彤; 刘丹妮;
辽宁师范大学物理与电子技术学院;
Cu2O; 半导体薄膜; 场效应晶体管;
机译:Ge凝结技术制备的(110)取向绝缘体上Ge沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道方向,有效场和空穴迁移率的温度依赖性
机译:化学气相沉积制备的石墨烯沟道场效应晶体管的载流子传输特性
机译:离子注入埋沟道的4H-SiC n和p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的特性
机译:通过器件仿真评估非晶氧化物半导体薄膜晶体管的传输特性与沟道厚度的关系
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:通过原子层δ掺杂和沉积制备具有金属超薄TiN基沟道的室温场效应晶体管
机译:用于背面氩轰击的氮化n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的界面和电荷俘获特性研究
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有改进的短沟道效应特性的具有小于四分之一微米沟道长度的CMOS场效应晶体管的制造方法
机译:持续时间波场效应晶体管的半导体薄膜模拟研究方法。 -评估光致发光光谱以识别高载流子密度成分比率
机译:以非晶态氧化物膜为沟道层的场效应晶体管,场效应晶体管的制造方法,以非晶态氧化物膜为沟道层的场效应晶体管的制造方法
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