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机译:用不同方法制备的Ga-极性和N-极性n-GaN的V / Ti / Au触点的电学特性
P-TYPE GAN; OHMIC CONTACTS; TI/AL CONTACTS; ELECTRONIC-PROPERTIES; CRYSTAL-POLARITY; SCHOTTKY DIODES; LOW-RESISTANCE; BAND BENDINGS; DEPENDENCE; MECHANISM;
机译:用不同方法制备的Ga-极性和N-极性n-GaN的V / Ti / Au触点的电学特性
机译:Al / Ti / Au触点对硅衬底上基于GaN的垂直发光二极管的N极n-GaN的稳定性
机译:垂直结构发光二极管的分子束外延生长N极性n型GaN的Ti / Al欧姆接触的电学特性
机译:AU / Ni / Ti / Ta / N-GaN欧姆触点的TEM研究和接触电阻
机译:机械合金化制备银-金属氧化物粉末冶金电接触材料的研究。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:错误至:用于垂直结构发光二极管的分子束外延生长N型GaN的Ti / Al欧姆触点的电特性