ФОРМИРОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ TA/TI/AL/MO/AU К ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ ALGAN/ALN/GAN, ВЫРАЩЕННОЙ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ

摘要

Исследованы закономерности формирования омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре Al_(0.26)Ga_(0.74)N/AlN/GaN, выращенной на подложке из полуизолирующего Si (111). Установлены зависимости контактного сопротивления от толщины слоев Al (90, 120, 150, 180 нм) и Ti (15, 30 нм), а также оптимальные температурно-временные режимы отжига для каждого из изученных вариантов металлизации. Показано, что при увеличении толщины слоя Al от 90 до 180 нм и неизменных толщинах слоев Ta, Ti, Mo, Au минимально достижимое контактное сопротивление монотонно увеличивалось от 0.43 до 0.58 Ом?мм. Изменение толщины слоя Ti от 15 до 30 нм не оказало существенного влияния на минимальную величину приведенного контактного сопротивления. Наименьшее контактное сопротивление, равное 0.4 Ом?мм, было достигнуто при использовании слоев Ta/Ti/Al/Mo/Au с толщинами 10/15/90/40/25 нм соответственно. Оптимальная температура отжига для данного варианта металлизации составила 825°C при длительности процесса 30 с. Полученные омические контакты имели ровный край контактных площадок и гладкую морфологию их поверхности.