Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AIGaAs/GaAs на длине волны 808 нм

В.В. Безотосный; В.А. Олеиценко; Е.А. Чешев

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AIGaAs/GaAs на длине волны 808 нм

【24h】

Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AIGaAs/GaAs на длине волны 808 нм

机译：在808 nm的波长基于应变异质结构的GaAsP / AIGaAs /砷化镓效果恢复参数辐射功率激光二极管的调查

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

获取外文期刊封面目录资料

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

文献数据库（团队版） >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

Экспериментально исследованы выходные параметры мощных лазерных диодов на длине волны 808 нм, изготовленных на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AIGaAs/GaAs и забракованных по результатам первоначальных измерений. Найдены методы восстановления их излучательных параметров до уровня лучших образцов. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых явлений.

机译：实验地检查了基于张力异质结构GaASP / AIGAAS / GaAs的808nm波长的强大激光二极管的输出参数，并根据初始测量结果被拒绝。找到将其辐射参数恢复到最佳样本的水平的方法。讨论了观察到的现象的可能原因。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2014年第1期|共5页
作者
В.В. Безотосный; В.А. Олеиценко; Е.А. Чешев;
展开▼
作者单位

изический институт им. П.Н. Лебедева;

изический институт им. П.Н. Лебедева;

изический институт им. П.Н. Лебедева;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AIGaAs/GaAs на длине волны 808 нм [J] . В.В. Безотосный, В.А. Олеиценко, Е.А. Чешев Физика и техника полупроводников . 2014,第1期

机译：基于应变GaAsP / AIGaAs / GaAs异质结构在808 nm波长下恢复大功率激光二极管辐射参数的效果研究
2. Effect of uniaxial stress on electroluminescence, valence band modification, optical gain, and polarization modes in tensile strained p-AIGaAs/GaAsP-AIGaAs laser diode structures: Numerical calculations and experimental results [J] . E. V. Bogdanov, N. Ya. Minina, J. W. Tomm, Journal of Applied Physics . 2012,第9期

机译：单轴应力对拉伸应变p-AIGaAs / GaAsP / n-AIGaAs激光二极管结构中电致发光，价带修饰，光学增益和偏振模的影响：数值计算和实验结果
3. Investigation of the Restoration Effect of the Radiative Parameters of High-Power Laser Diodes Based on GaAsP/AlGaAs/GaAs Strained Heterostructures at a Wavelength of 808 nm [J] . V. V. Bezotosnyi, V. A. Oleshenko, E. A. Cheshev Semiconductors . 2014,第1期

机译：基于GaAsP / AlGaAs / GaAs应变异质结构的808 nm波长大功率激光二极管辐射参数的恢复效应研究
4. TEMPERATURE AND DEFORMATION DEPENDENCE OF OUTPUT WAVELENGTH AND POLARIZATION IN LASER DIODES BASED ONp-AIGaAs/GaAsP/n-AlGaAs NANOSTRUCTURES [C] . E. V. Bogdanov, K. I. Kolokolov, N. Ya. Minina Nanomeeting . 2017

机译：基于ONP-AIGAAS / GA-AlGaAs纳米结构的激光二极管输出波长和极化的温度和变形依赖性
5. AIGaAs 及びGaAsP 中の深い準位に関する研究利用統計を見る [D] . 野毛宏 1986

机译：查看AIGaAs和GaAsP中深层的研究利用率统计信息
6. Theoretical study of strain-dependent optical absorption in a doped self-assembled InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum dot [O] . Tarek A Ameen, Hesameddin Ilatikhameneh, Archana Tankasala, 2018

机译：掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
7. Design and comparison of GaAs, GaAsP and InGaAlAs quantum-well active regions for 808-nm VCSELs [O] . Yan Zhang, Yongqiang Ning, Lisen Zhang, 2011

机译：GaAs，GaASP和Ingaalas量子阱有源区的设计和比较808-NM VCSELS
8. Optimization of Buffer Layers for InGaAs/AIGaAs PIN Optical Modulators Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy [R] . Katzer, D. S. , Rabinovich, W. S. , Ikossi-Anastasiou, K. , 2000

机译：通过分子束外延在Gaas衬底上生长的InGaas / aIGaas pIN光调制器的缓冲层优化

Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AIGaAs/GaAs на длине волны 808 нм

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅