Композитные lnGaN/GaN/lnAIN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра

摘要

Представлены результаты исследований свойств композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAIN. Показано, что в слое InAIN наблюдается значительная фазовая" сепарация, которая приводит к формированию трехмерных островков, состоящих из областей AIN-InAIN-AIN. Размеры этих островков зависят как от толщины слояТпАIN, так и от условий эпитаксиального роста. Использование прерываний во время роста InAIN позволяет влиять на структурные свойства островков InAIN. Использование композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAlN со слоем InGaN высокого состава в качестве активной области светодиодных структур позволяет получить излучение в желто-красном диапазоне длин волн 560-620 нм