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ZnO/GaN异质结发光二极管光谱改善研究进展

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摘要

ZnO缺陷发光及ZnO/GaN界面发光严重降低了n-ZnO/p-GaN发光二极管的性能.本文概述n-ZnO/p-GaN异质结的结构和发光存在的问题,详细介绍该方面的最新研究成果.通过引入界面层、利用量子限制效应等技术,使n-ZnO/p-GaN发光二极管的光谱质量和发光效率得到改善.

著录项

来源
《河南科技》|2017年第13期|144-146|共3页
作者
刘辉; 史敏娜; 王小峰;
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作者单位

国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心,河南郑州 450000;

国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心,河南郑州 450000;

国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心,河南郑州 450000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
ZnO/GaN发光二极管; 界面层; 量子限制效应;
入库时间 2023-07-24 17:51:49

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