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垂直结构lnGaN发光二极管

摘要

公开了一种能发射电磁波谱中红光、绿光、蓝光、紫光和紫外光部分的垂直结构发光二极管。所述发光二极管包括导电的碳化硅衬底、氮化镓量子阱、在衬底和量子阱之间的导电缓冲层、以及在量子阱每个表面上的各自未掺杂氮化镓层和在垂直结构方向上的欧姆性触点。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-15

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20050615 申请日:19990916

    专利权的终止

  • 2005-06-15

    授权

    授权

  • 2005-06-15

    授权

    授权

  • 2003-07-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-04-23

    公开

    公开

  • 2003-04-23

    公开

    公开

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