法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-15
专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20050615 申请日:19990916
专利权的终止
2005-06-15
授权
授权
2005-06-15
授权
授权
2003-07-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-07-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-04-23
公开
公开
2003-04-23
公开
公开
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机译: 支持具有垂直结构的,能够防止微裂纹的半导体发光器件的基板,使用具有相同结构的具有垂直结构的半导体发光器件的制造方法以及具有半导体发光二极管的半导体器件的垂直结构
机译: 垂直结构的第3族基于氮化物的半导体发光二极管装置及其制造方法,没有晶片弯曲现象和对单芯片的发光二极管装置的损害
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