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欧欣; 陈静; 武爱民; 孙家胤;
信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
晶圆键合; 氮化镓; 发光二极管; 剥离;
机译:铝合金石墨基板晶圆键合工艺制备GaN垂直发光二极管的性能
机译:三(2,2'-联吡啶)钌(Ⅱ)-紫精键合硫醇自组装单分子膜在多结构金纳米粒子上制备光电化学电池
机译:金薄膜中间层对LIGA制备的铜微结构阳极键合的影响
机译:用于RF,光电,高温和功率器件的金 - 金倒装芯片键合工艺
机译:钛/铝/钛/金金属化为正铝氮化镓/氮化镓异质结构的微观结构研究。
机译:溶胶-凝胶法制备纳米结构二氧化硅/金纤维素键合氨基-POSS杂化复合材料及其性能
机译:通过溶胶 - 凝胶工艺及其性能,错误至纳米结构二氧化硅/金 - 纤维素键合氨基足组合物
机译:热硅金线键合中al-si薄膜的键合性
机译:氮化镓系垂直发光二极管元件中蓝宝石基材料和晶体薄膜的分离方法及氮化镓系垂直发光元件的结构
机译:制备用于例如发光二极管,方法是去除包含二元或三元材料(包括氮化镓)的层,并通过施加键合界面材料转移到接收衬底
机译:氮化镓3维(3D)结构,氮化镓3维(3D)阵列,使用具有平面表面的3维氮化镓柱结构和发光表面(LED)制造发光二极管(LED)的方法具有平面的三维氮化镓柱结构
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