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师庆华;
无;
发光二极管; 双异质结构; 氮化镓铟;
机译:高功率发光二极管中InGaN / GaN异质结构的微等离子体破裂
机译:高功率蓝紫色半极性(2021)InGaN / GaN发光二极管,具有200A / cm2的低效率下垂
机译:用于功率开关应用的单异质结构和双异质结构GaN-HEMT器件
机译:高功率Ingan / AlGaN双异质结构蓝光发光二极管
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:4英寸硅衬底上的高功率基于GaN的垂直发光二极管
机译:AlGaN / GaN / AlGaN双重异质结构,用于高功率III-N场效应晶体管
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:高功率低噪声微波GaN异质结场效应晶体管
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