VLED silicon substrate current spreading Au–In eutectic bonding laser lift-off;
机译:4英寸硅衬底上的高功率基于GaN的垂直发光二极管
机译:表面处理对带电镀金属基底的垂直结构GaN基大功率发光二极管性能的影响
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:具有选择性镍电镀和图案激光剥离技术的高功率垂直GaN的发光二极管的制造
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:通过局部表面等离子体激元提高GaN基垂直型发光二极管的外部量子效率
机译:基于高功率的GaN的垂直发光二极管在4英寸硅衬底上