机译:La掺杂对PZT薄膜结晶取向,微观结构和介电性能的影响
Dalian Univ Technol Key Lab Micro Nano Syst &
Technol Sch Mech Engn Dalian 116024 Peoples R China;
Dalian Univ Technol Key Lab Micro Nano Syst &
Technol Sch Mech Engn Dalian 116024 Peoples R China;
Jilin Univ Fac Sch Mech Sci &
Engn Changchun Jilin Peoples R China;
Dalian Univ Technol Key Lab Micro Nano Syst &
Technol Sch Mech Engn Dalian 116024 Peoples R China;
Dalian Univ Technol Dalian Peoples R China;
PLZT thin films; preferred orientation; columnar microstructure; dielectric properties; La doping concentration;
机译:La掺杂对PZT薄膜结晶取向,微观结构和介电性能的影响
机译:Pr掺杂对溶胶-凝胶法制备Pb_(1.2-1.5x)Pr_xZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3薄膜的晶体取向,微结构,介电和铁电性能的影响
机译:Ce掺杂对溶胶-凝胶法(100)取向PCZT薄膜晶体取向,微结构,介电和铁电性能的影响
机译:纳米茚满的晶体取向和基材依赖于PZT薄膜力学性能的研究
机译:纳米晶的未掺杂和掺杂的氧化铈薄膜的微结构及其电学和光学性质。
机译:低温处理的Sn掺杂In2O3薄膜的电性能:微观结构和氧含量的作用以及缺陷调制掺杂的潜力
机译:Si衬底上溅射PZT薄膜的介电,铁电和压电特性:膜厚和取向的影响
机译:通过优化TiO2 / pt模板优化pZT薄膜晶体取向