La掺杂对BLT薄膜微观结构与性能的影响

摘要

采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4-xLaxTi3O12(BLT)铁电薄膜.研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响.结果表明,600～650 ℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦绿石相或其它杂相,薄膜为多晶生长; La掺杂量x在0.5～0.85的BLT薄膜介电与铁电性能优良,其εr和tanδ分别介于284～289和(1.57～1.63)×10-2,4 V偏压下薄膜的漏电流密度低于10-8 A/cm2,Pr可达(13.0～17.5)×10-6 C/cm2,Ec低至(102.5～127.8)×103 V/cm.