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机译:总电离剂量和重离子导致的闪存单元数据丢失
flash memory; single event upsets; total dose;
机译:总电离剂量和重离子导致的闪存单元数据丢失
机译:3-D NAND闪存中的总电离剂量效应
机译:一种定量方法,表征周边装置的总电离剂量效应65nm闪存
机译:用于大剂量任务的商用三星NAND闪存的总电离剂量测量
机译:总电离剂量和剂量率对(正负)BJT带隙基准的影响
机译:通过电检测磁共振研究TiN / Ti / HfO2 / TiN电阻性随机存取存储器的总电离剂量效应
机译:闪存单元由总电离剂量和重离子引起的数据丢失