机译:一种定量方法,表征周边装置的总电离剂量效应65nm闪存
Chengdu Univ Informat Technol Coll Commun Engn Chengdu 610225 Sichuan Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China;
Total Ionizing Dose; Quantitatively Characterized; Parasitic Transistor;
机译:一种定量方法,表征周边装置的总电离剂量效应65nm闪存
机译:用于180 nm闪存技术的基本设备中的总电离剂量效应
机译:总电离剂量对基于65nm SONOS的NOR闪存的数据保留的影响
机译:通过65nm闪光技术的原位测量研究了总电离剂量效应
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