annealing; flash memories; HV nMOS device; TID radiation response; annealing phases; device parameter shifts; flash technology; high voltage nMOS devices; in-situ measurement; linear drain current; memory cells; physical mechanisms; post-radiation annealing; relaxation phases; total ionizing dose effect; Abstracts; Annealing; Electrical resistance measurement; MOS devices; RNA; Resistance; Testing;
机译:用于180 nm闪存技术的基本设备中的总电离剂量效应
机译:在部分耗尽的0.2μm绝缘体上硅技术中研究独特的总电离剂量效应
机译:用于HL-LHC升级的65nm CMOS技术的1级总剂量评估
机译:通过原位测量对65nm闪存技术进行研究的总电离剂量效果
机译:先进CMOS技术中的总电离剂量效应。
机译:使用太赫兹反射技术通过现场粉末密度测量预测胶囊填充重量
机译:0.2μm的独特总电离剂量效应研究 部分耗尽的绝缘硅技术