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【2h】

Statistical analysis of Total Ionizing Dose response in 25-nm NAND Flash memory

机译：25nm NAND闪存中总电离剂量响应的统计分析

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Ferrarese Federica;
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年度 2014
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1. Total Ionizing Dose Effects in 3-D NAND Flash Memories [J] . Bagatin Marta, Gerardin Simone, Paccagnella Alessandro, IEEE Transactions on Nuclear Science . 2019,第1期

机译：3-D NAND闪存中的总电离剂量效应
2. Total Ionizing Dose Influence on the Single Event Effect Sensitivity in Samsung 8Gb NAND Flash Memories [J] . Larry D. Edmonds, Farokh Irom, Gregory R. Allen IEEE Transactions on Nuclear Science . 2017,第8期

机译：总电离剂量对三星8Gb NAND闪存中单事件效应灵敏度的影响
3. Evaluation of 1.5-T Cell Flash Memory Total Ionizing Dose Response [J] . Clark Lawrence T., Holbert Keith E., Adams James W., Nuclear Science, IEEE Transactions on . 2015,第6期

机译：1.5 T细胞闪存总电离剂量响应的评估
4. Total Ionizing Dose Measurements of a Commercial Samsung NAND Flash Memory for a High Dose Mission [C] . Gregory R. Allen, Farokh Irom, Larry Edmonds, IEEE Radiation Effects Data Workshop . 2018

机译：用于大剂量任务的商用三星NAND闪存的总电离剂量测量
5. NAND flash memory: Characterization, analysis, modelling, and mechanisms [D] . Cai, Yu 2012

机译：NAND闪存：表征，分析，建模和机制
6. CMOS-compatible ferroelectric NAND flash memory for high-density low-power and high-speed three-dimensional memory [O] . Min-Kyu Kim, Ik-Jyae Kim, Jang-Sik Lee 2021

机译：CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
7. Flash memory cells data loss caused by total ionizing dose and heavy ions [O] . Petrov Andrey, Vasil’ev Alexey, Ulanova Anastasia, 2014

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