机译:总电离剂量对基于65nm SONOS的NOR闪存的数据保留的影响
Cypress Semiconductor, San Jose, USA;
Charge carrier processes; Nonvolatile memory; SONOS devices; Threshold voltage; Tunneling; Data retention; nonvolatile memories; total dose effects;
机译:一种定量方法,表征周边装置的总电离剂量效应65nm闪存
机译:总电离剂量对41nm NAND闪存单元保留的影响
机译:总电离剂量和重离子导致的闪存单元数据丢失
机译:通过65nm闪光技术的原位测量研究了总电离剂量效应
机译:单事件瞬态和总电离剂量对低于10 nm节点CMOS的III-V MOSFET产生影响。
机译:磷酸化的丝氨酸65的不同电离态对泛素结构和相互作用的影响
机译:25nm NAND闪存中总电离剂量响应的统计分析