首页> 外文OA文献 >Flash memory cells data loss caused by total ionizing dose and heavy ions
【2h】

Flash memory cells data loss caused by total ionizing dose and heavy ions

机译:闪存单元由总电离剂量和重离子引起的数据丢失

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号