机译:取向4H-SiC衬底上单域3C-SiC的生长
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机译:在离向的4H-SIC基板上生长的高质量C面和Si面3C-SiC(111)的比较研究
机译:Ge通过气相外延在轴上4H-SiC衬底上辅助3C-SiC成核和生长
机译:使用偏向6H-SiC衬底生长3C-SiC
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:倒置硅金字塔图案衬底上的3C-SiC生长
机译:取向4H-SiC衬底上的单畴3C-SiC生长