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机译:RF磁控溅射沉积在蓝宝石基板上的GaN薄膜的递力依赖性物理性质
Department of Physics Faculty of Art and Science Mus Alparslan University Mus 49250 Turkey;
Department of Physics Faculty of Science Atatiirk University Erzurum 25250 Turkey;
GaN; Ill-nitride; radio frequency; sapphire; RF magnetron sputtering.;
机译:RF磁控溅射沉积在蓝宝石基板上的GaN薄膜的递力依赖性物理性质
机译:射频磁控溅射沉积在蓝宝石衬底上的氧化锌锡薄膜的物理性质
机译:由反应性RF磁控溅射沉积C形蓝宝石衬底上Cucro2薄膜的光学和结构性能
机译:射频磁控溅射沉积在R型蓝宝石衬底上的ZnO薄膜的光致发光
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:SC0.09Al0.91N和SC0.18A10.82N的外延生长通过磁控溅射对表面声波应用的磁控溅射薄膜
机译:各种衬底温度对RF磁控溅射沉积的ZnO薄膜结构和电性能的依赖性
机译:(0001)和(0112)蓝宝石衬底上GaN薄膜物理性质的比较