蓝宝石上横向外延GaN薄膜

张帷; 郝秋艳; 景微娜; 刘彩池; 冯玉春

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蓝宝石上横向外延GaN薄膜

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在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|33-36|共4页
作者
张帷; 郝秋艳; 景微娜; 刘彩池; 冯玉春;
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作者单位

河北工业大学信息功能材料研究所;

天津300130;

深圳大学光电研究所;

广东光电子器件与系统省重点实验室;

光电子器件与系统教育部重点实验室;

深圳518060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
GaN; 横向外延; 金属有机物气相外延; (0001)蓝宝石衬底;

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