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吴琪乐;
缺陷密度 外延层 GaN 器件结构 蓝宝石衬底 高性能材料 掩膜 电致发光 光电探测器 国际合作项目;
机译:半极(11-22)GAN外延薄膜,在M平面蓝宝石中使用两种原位SIN_X中间层的序列显着降低了M平面蓝宝石的缺陷密度
机译:使用两个原位SiN_x中间层序列在m面蓝宝石上生长的具有显着降低的缺陷密度的半极性(11-22)GaN外延膜
机译:使用图案化的r面蓝宝石衬底降低缺陷密度的非极性α-GaN外延层
机译:GaN在蓝宝石上的悬臂外延:位错密度的进一步降低
机译:硅上异质外延的锗中少数载流子寿命与缺陷密度分布的经验相关性。
机译:c轴和a轴蓝宝石衬底上GaN外延层的纳米划痕特性
机译:氨分子束外延生长无意掺杂的SiC半绝缘GaN和蓝宝石上的高电阻GaN的生长动力学和电子性质
机译:si上Gaas的异质外延:降低外延层中缺陷密度的方法。
机译:在蓝宝石晶圆上制造用于GaN基光电器件的外延膜生长的工艺
机译:蓝宝石上外延层gan-和ga deep x al deep 1-x n-层的方法
机译:-在多晶碳化硅衬底上锉成的蓝宝石薄层上使用gan的半导体gan器件和方法
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