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method for zuechtung epitaxialer gan - and ga deep x al deep 1 - x n - layers on sapphire

机译：蓝宝石上外延层gan-和ga deep x al deep 1-x n-层的方法

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机译：

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  • 公开/公告号DD136456A1

    专利类型

  • 公开/公告日1979-07-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BARANOW BORIS V;

    申请/专利号DD19780205293

  • 发明设计人 BARANOW BORIS V;

    申请日1978-05-10

  • 分类号B01J17/32;

  • 国家 DD

  • 入库时间 2022-08-22 20:48:28

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