机译:超薄GE3N4钝化层对HFO2 / GE金属氧化物半导体器件结构,界面和电性能的影响
Ge3N4/HfO2 Gate Stacks; XPS; PDA; Interfacial Properties; F-N Mechanism; Ge MOS Devices;
机译:超薄GE3N4钝化层对HFO2 / GE金属氧化物半导体器件结构,界面和电性能的影响
机译:具有ZrON / GeON双钝化层的Ge MOS器件的界面和电学性能得到改善
机译:使用超薄GeSnO_x膜作为表面钝化层的具有HfO_2栅极电介质的Ge金属氧化物半导体器件的改进电性能
机译:TA_2O_5,TIO_2和ZRO_2界面层对激光烧蚀BA_(0.5)SR_(0.5)TiO_3薄膜结构和电性能的影响
机译:研究用于下一代电子和光电设备的III-V半导体纳米柱的生长,结构和电性能。
机译:以La2O3中间层的厚度为特征的HfO2 / Ge MIS电容器的电学性质和界面问题。
机译:用LaTaON钝化层改善Ge基金属氧化物半导体电容器的界面和电学性能
机译:电离辐射和电过载对mOs(金属氧化物半导体)器件的影响:比较