机译:以La2O3中间层的厚度为特征的HfO2 / Ge MIS电容器的电学性质和界面问题。
Ge surface engineering La2O3 passivation layer atomic layer deposition electrical properties;
机译:以Al2O3中间层的厚度为特征的高k / Si MIS电容器的电性能和界面问题
机译:纳米胺化HFO2 / AL2O3电介质与ALN中间层的界面和电性能
机译:通过使用TaON / LaON双钝化夹层改善Ge MOS电容器的界面和电学性能
机译:硅基衬底上HFO2,LA2O3和GD2O3薄膜界面缺陷研究
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:等离子体增强原子层沉积法原位形成SiO2中间层的HfO2 / Ge叠层的界面电和能带对准特性
机译:高k / si mIs电容器的电学特性和界面问题,其特征在于al2O3中间层的厚度