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高娴1; 唐吉龙1; 房丹1; 王双鹏2; 赵海峰2; 魏志鹏1; 方铉1; 王晓华1; 徐志堃3; 马晓辉1;
[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 吉林长春130022;
[2]中国科学院长春光机所发光学及应用国家重点实验室 吉林长春130033;
[3]哈尔滨师范大学 黑龙江哈尔滨150080;
Be掺杂GaAs GaAsMIS结构 I-V 肖特基势垒高度 理想因子;
机译:利用导纳谱研究Al / Cu(In,Ga)Se_2肖特基结和ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se_2异质结的电学性质
机译:六方氮化硼界面层的石墨烯-GaN异质结的肖特基势垒二极管特性
机译:通过原子层沉积生长具有HfO_2界面层的高性能石墨烯-硅肖特基结太阳能电池
机译:原子层沉积生长的ZnO界面层对石墨烯/硅肖特基结太阳能电池性能的影响
机译:P-N同质结和界面层异质结太阳能电池理论效率的上限。
机译:三明治掺杂很大肖特基障碍和长期石墨烯/硅肖特基结太阳能电池中的稳定性
机译:高响应近红外光电探测器,使用石墨烯/锗肖特基结与Al2O3界面层的暗电流
机译:阳极界面层删除的后果。 p3HT中的HCl处理的ITO:基于pCBm的体 - 异质结有机光伏器件
机译:由此制造的结壁肖特基二极管和结壁肖特基二极管
机译:通过肖特基二极管,pn结二极管的SiC半导体实现的肖特基电极结
机译:高压碳化硅结势垒肖特基结型场效应晶体管及其制造方法,具有肖特基栅结构
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