机译:具有LaTaON钝化层的Ge基金属氧化物半导体电容器的界面和电学性质的改善
机译:以HfTiON为栅介电层和TaON为钝化中间层的GaAs金属氧化物半导体电容器的界面和电学性能得到改善
机译:以HfTiON为栅介电层和TaON为钝化中间层的GaAs金属氧化物半导体电容器的界面和电学性能得到改善
机译:Zrlaon钝化层和氟掺入的GE MOS电容的界面和电性能
机译:氮化镓和硅基金属氧化物半导体(MOS)电容器的电气特性。
机译:以La2O3中间层的厚度为特征的HfO2 / Ge MIS电容器的电学性质和界面问题。
机译:LaTaON钝化层和氟掺杂对Gaas金属氧化物半导体电容器中氧化物陷阱和界面态的钝化