机译:包含其应用于在掺杂有导电材料的至少一种导电特性的金属的层中的半导体材料的一部分中的半导体材料的一部分的制造半导体装置的方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
公开/公告号NL174684C
专利类型
公开/公告日1984-07-16
原文格式PDF
申请/专利号NL19700005888
发明设计人
申请日1970-04-23
分类号H01L21/225;H01L23/48;H01L21/72;
国家 NL
入库时间 2022-08-22 09:16:29