ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価

摘要

ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH_4／H_2／N_2／ArガスによるECR支援プラズマ法とCl_2／BCl_3ガスによるICP支援プラズマ法を用いだ。ドライエッチング後は表面の化学結合状態が乱れ、その後のMOS構造形成により、1×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上の密度の界面準位が生成されることが明らかになった。特にECR支援プラズマプロセス試料では高密度の界面準位が観測された。400℃の熱処理により界面特性は回復し、ICP支援プラズマプロセス試料では、5×10cm~(-2)eV~(-1)程度まで密度が低減した。一方、AlGaN/GaN構造のAlGaN表面をエッチングした場合、アニール後でも1×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上のMOS界面準位が観測された。