法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-10
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 申请日:20130127
著录事项变更
2015-03-04
授权
授权
2013-07-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20130127
实质审查的生效
2013-06-05
公开
公开
机译: 使用algan / gan超晶格的氮化物半导体发光器件及其制造方法
机译: 硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译: 技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)