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GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

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用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.我们观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|166-169|共4页
会议地点大连
作者
陈伟华; 胡晓东; 章蓓; 黎子兰; 潘尧波; 胡成余; 王琦; 陆羽; 陆敏; 杨志坚; 张国义;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类晶体缺陷;
关键词
GaN/AlGaN超晶格; 透射电镜分析; 线缺陷;

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