一种AlGaN/GaN HEMT界面缺陷检测方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT界面缺陷检测方法。该方法首先制备便于测试电容特性的圆形肖特基二极管结构，通过测量强积累区不同偏压下的电容‑频率特性曲线；然后根据肖特基二极管正向电流计算体电阻值，根据肖特基二极管反向电流计算漏电流等效电阻值，根据电容‑电压曲线获得势垒层电容值，采用阻抗等效模型拟合确定不同偏压下的界面缺陷等效电容值，最后计算求得界面缺陷密度随偏压的变化，实现对AlGaN/GaN HEMT界面缺陷的检测。本发明通过拟合电容特性的方法实现了对AlGaN/GaN HEMT界面缺陷密度的检测，有助于扩展CV分析法在GaN基HEMT器件中的应用。