ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СВЕТОДИОДНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ N-GASB/N-INGAASSB/P-ALGAASSB С ВЫСОКИМ ПОТЕНЦИАЛЬНЫМ БАРЬЕРОМ

摘要

Исследованы электролюминесцентные свойства гетероструктуры n-GaSb-InGaAsSb/p-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости на гетерогранице II типа n-GaSb-InGaAsSb (Delta Ec=0.79 эВ). В спектре электролюминесценции наблюдалось две полосы с энергиями максимумов 0.28 и 0.64 эВ при 300 K, связанные с излучательной рекомбинацией в n-InGaAsSb и n-GaSb соответственно. Во всем исследованном диапазоне температур T=290-480 K в активной области n-InGaAsSb вследствие ударной ионизации горячими электронами, разогретыми за счет скачка потенциала в зоне проводимости, происходит образование дополнительных электронно-дырочных пар, дающих вклад в излучательную рекомбинацию, что приводит к нелинейному возрастанию интенсивности электролюминесценции и выходной оптической мощности с увеличением тока накачки. При нагреве в интервале температур T=290-345 K наблюдалось сверхлинейное, а при T<345 K линейное увеличение мощности излучения длинноволновой полосы. В данной работе впервые сообщается об увеличении мощности излучения светодиодной гетероструктуры с ростом температуры. Показано, что рост мощности излучения при увеличении температуры обусловлен уменьшением пороговой энергии ударной ионизации вследствие сужения запрещенной зоны активной области.