Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AIGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами

摘要

Сообщается об исследовании электролюминссцснтных свойств светодиодной гетероструктуры n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb с высокими потенциальными барьерами в интервале температур 290-470 К. В эксперименте наблюдался нетипичный температурный рост мощности длинноволновой полосы люминесценции с энергией 0.3 эВ. При повышении температуры до 470 К оптическая мощность излучения увеличивалась в 1.5-2 раза. Для объяснения необычной температурной зависимости мощности излучения был проведен теоретический анализ процессов рекомбинации и переноса носителей заряда в исследуемой гетероструктуре.