机译:N-Gasb / InAs / p-gasb异质结构的电致发光,由Movpe种植良好的单量子
机译:用单深量子井N-Gasb / InAs / p-gasb异质结构的载体筛选效果增强光电导性
机译:在II型异质结构正的GaSb / LNA的苯乙烯/对 - 的GaSb与单个量子增大光电导性良好的效果
机译:基于IIP-INAS / ALSB / INASSB / ALSB / P-GASB的光伏探测器具有单轴孔隙的中红外光谱范围
机译:垂直载波运输性能和装置应用INAS / INAS1-XSBX Type-II超晶格和水溶性剥离技术
机译:基于InAs / InAs1-xSbx / AlAs1-xSbx II型超晶格的偏置可选nBn双波段长/非常长波长红外光电探测器
机译:背景 - 有限的长波红外Inas / Inas1- 基于xsbx类型II超晶格的光电探测器,工作电压为110 ķ
机译:体Inas(1-x)sb(x)和II型Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格中的导带和价带能量。