半导体多势垒异质结构中的共振隧穿

摘要

该文针对CdSe/Zn<,1-x>Cd<,x>Se材料构成的方开双势垒、三势垒以及抛物形双势垒结构进行的数值计算表明:电子横向波数的增加使得共振峰向低能区移动,高能态共振峰移动的效果更为显著,而且还使得共振峰加宽,峰谷比减小.这一结果也同样适用于外国偏压的情况,外加偏压使得电子横向运动的作用更为重要.总之,对于此类结构,无论有无外加偏压,电子横向运动都是不容忽视的.在研究J-V特性时,以隧穿电流密度分工作二重积分近似,得到与Esaki模型所得的结果不同的J-V曲线,并讨论了温度、混晶效应对J-V曲线的影响.

目录

文摘

致谢

第一章前言

1.1本领域的研究发展近况

1.2内容提要

第二章电子横向运动对透射几率的影响

2.1理论模型

2.2数值计算与讨论

2.3结论

第三章三元混晶双势垒结构中的J-V特性

3.1理论模型

3.2数值计算与讨论

3.3结论

参考文献