先端メモリ及びロジックICへ向けたスピンMOSFET技術

摘要

高度情報通信機器や，携帯端末，デジタル家電などでは，CMOS（相補型金属酸化膜半導体）トランジスタの高密度集積化や高速動作に伴う消費電力の増大が大きな問題となり，従来と異なる動作原理に基づく高付加価値素子が必要になっている。東芝は今回，メモリとトランジスタの機能を一つに統合した新型素子スピンMOSFET（金属酸化膜半導体型電界効果トランジスタ）であるSTS （Spin-Transfer-Torque Switching）-MOSFETを開発し，明瞭な読出し特性と，スピン注入磁化反転を用いた10~5回以上の良好な繰返し書込み特性を観測した。また，大規模回路シミュレーションを用いてこの素子の有用性を検証し，将来の先端メモリ及びロジックICにとって有望な素子であることを示した。