用于形成包括集成自旋转移力矩磁阻随机存取存储器的逻辑的技术

摘要

公开了用于形成包括集成自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT‑MRAM）的逻辑装置的技术。根据一些实施例，可以在主逻辑装置的给定的后道（BEOL）互连层内形成一个或多个磁性隧道结（MTJ）装置。根据一些实施例，可以在导电层上方形成给定的MTJ装置，所述导电层配置成用作对于MTJ的构成磁性和绝缘体层的基座层。根据一些实施例，可以在给定的MTJ装置和伴随的基座层的侧壁上方形成一个或多个保形间隔层，提供保护以免于氧化和腐蚀。根据一些实施例，给定的MTJ装置可以例如通过配置成用作薄通孔的另一居中导电层与底层互连或其他导电特征电耦合。