具有用于在其中的磁性层上引发应变的界面的自旋转移矩存储器和自旋逻辑器件

摘要

本公开内容涉及自旋转移矩存储器器件和自旋逻辑器件的制造，其中，应变工程设计界面形成在这些器件内的至少一个磁体内。在一个实施例中，自旋转移矩存储器器件可以包括自由磁性层叠置体，该自由磁性层叠置体包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层。在另一个实施例中，自旋逻辑器件可以包括输入磁体、输出磁体；其中，输入磁体和输出磁体中的至少一个包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层和/或邻接在输入磁体与输出磁体之间延伸的晶体自旋相干沟道的晶体磁性层。