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目录
第一章 绪 论
1.1 传统存储器的发展及其面临的挑战
1.2 磁随机存储器的研究及现状
1.3 论文的主要研究工作和内容安排
第二章 磁隧道结的基础理论
2.1 物质磁性
2.2 磁电阻效应
2.3 隧穿磁阻的隧穿机制
2.4 磁矩翻转方式
2.5 磁隧道结的材料对器件性能影响
2.6 小 结
第三章 基于 STT 效应磁隧道结的模型研究
3.1 磁隧道结的隧道电阻和磁电阻模型
3.2 磁隧道结的开关电流模型
3.3 磁隧道结的击穿特性
3.4 磁隧道结行为模型的建立
3.5 小 结
第四章 STT-MRAM 关键电路模块的研究
4.1 MRAM 的类型
4.2 STT-MRAM 写入驱动电路的研究
4.3 STT-MRAM 读取电路的研究
4.4 字线选择晶体管的研究
4.5 STT-MRAM 的抗辐照研究
4.6 小 结
第五章 16Kb STT-MRAM 的电路设计
5.1 16Kb STT-MRAM 系统结构设计
5.2 STT-MRAM 电路设计
5.3 电路综合仿真
5.4 小 结
第六章 结论与展望
致谢
参考文献
攻读博士学位期间的研究成果
西安电子科技大学;