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一种基于嵌入式自旋转移力矩磁随机存储器的SoC存储系统

摘要

本发明公开了一种基于嵌入式自旋转移力矩磁随机存储器的SoC存储系统,包括:存储器控制模块、eSTT‑MRAM;所述存储器控制模块用于分别采用三组存储器控制信号对eSTT‑MRAM进行取指、读写和程序下载操作,完成对eSTT‑MRAM的时分复用;所述eSTT‑MRAM用于使电流极化形成自旋电流,并通过自旋电流中的自旋电子将自旋矩传递给自由层的磁矩,使其依据自旋电流的方向而发生转动,实现写入信息“0”或“1”,存储速度快。通过将eSTT‑MRAM划分为更多的功能区,将不同类型的传统存储器在SoC中执行的功能集中在一片eSTT‑MRAM上,实现功能更复杂的单一存储系统,大大提高了系统的存储速度,减小了存储系统的面积。

著录项

  • 公开/公告号CN110968544B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201911154402.6

  • 申请日2019-11-22

  • 分类号G06F15/78(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人李智

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 12:35:28

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