首页> 外文期刊>Journal of the Korean Physical Society >Passivation of Semi-Insulating Polycrystalline CdZnTe Films
【24h】

Passivation of Semi-Insulating Polycrystalline CdZnTe Films

机译:半绝缘多晶CdZnTe薄膜的钝化

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

SSurface effects play an important role in the overall performance of X-ray detector. The effects ofpassivation with (NH_4)_2S on semi-insulating polycrystalline CdZnTe thick films were analyzed withX-ray photoelectron spectroscopy (XPS), photoconductive decay (PCD), noise power spectrum andpulse height spectra measurements. Sulfur passivation with (HN_4)_2S effectively removes the Te-oxide layers on the CdZnTe surface, reduces the surface leakage current and gives higher energyresolution by suppressing 1/f noise.
机译:SSurface效应在X射线探测器的整体性能中起着重要作用。用X射线光电子能谱(XPS),光导衰减(PCD),噪声功率谱和脉冲高度谱测量分析了(NH_4)_2S钝化对半绝缘CdZnTe厚膜的影响。通过(HN_4)_2S进行的硫钝化可有效去除CdZnTe表面的Te氧化物层,减少表面泄漏电流,并通过抑制1 / f噪声提供更高的能量分辨率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号